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光刻机技术突破后中国科技巨头再次传来消息国产光刻机有望?

发布日期:2021-06-13 08:32   来源:未知   阅读:

  重庆路昨晚十点设围挡调流。梁孟松去年的时候表示中芯走过20nm,量产了14nm,现在走到了7nm甚至是3nm,但因为特不靠谱的一纸禁令,EUV光刻机并未到位,所以接下来的制程也就无法再进行下去!

  不管是5G推广受限还是海外版手机不能够使用谷歌服务,当特不靠谱第二次制裁华为的时候发现,原来华为“软肋”在芯片制造环节。任正非后来也表示,国内不是设计不出芯片,而是基础工艺不行!可要知道的是我们入局光刻机的时候,荷兰ASML还没成立,如今也是承接了“造不如买”的后果,那么国产光刻机现在是什么程度呢?按照网友的爆料,即便是今年上海微电子成功交付,那也只是28nm,这和台积电的5nm相差甚远,不过近期国内传出好消息,打破技术垄断,或许国产光刻机迎来了新的希望!

  光刻机,光源很重要。现在能够掌握极紫外光源解决方案的只有德国和美国,而美国的解决方案是被ASML所采纳,这也就能够理解为啥老美的一纸禁令使得ASML即便是想供货于华,都无能为力!

  尽管说美、德垄断着极紫外光源技术,但问题在于他们手里的这种技术存在稳定性差和寿命短的缺陷,所以不少研究团队在寻找新的光源,而清华大学这次似乎是领先了!

  前几日清华大学公布了一份研究成果,就是找到了一种高功率、高重频、窄带宽的相干辐射,波长可覆盖从太赫兹到极紫外(EUV)波段:SSMB光源。

  功率更大,稳定性更强,这就意味着如果新型粒子加速器光源(SSMB)一旦被成功应用到光刻机上面,那么中国将在光源这一块有了属于自己的技术,而且是优于美、德的!

  自然,除了光刻机光源的突破,近日国内另一项突破也足够使人振奋,那就是南大光电自主研发的ArF(193nm)光刻胶。

  此前光刻胶为日企所垄断,占据市场85%的份额,但南大光电所研发出的光刻胶可用于7nm芯片制造材料,且在各项测试中都处于世界领先水平,这一操作不仅是填补了国内空白领域,还改变了该领域市场占比。

  此外值得一提的是中微半导体的蚀刻机。蚀刻机可能很多人没有听说过,但它的存在和光刻机一样重要,一个负责“蚀”一个负责“刻”,此前也是被美所垄断,而尹志尧放弃海外丰厚诱惑毅然决然带队回国,当时美也是各种限制,尹志尧并未带回一份报告和电子产品,从0开始做起,如今中微半导体更是实现了国产5nm蚀刻机,且与台积电进行了合作,获得高度认可!

  我们尽管说是底子比较薄弱,但国内如今多股力量都在推动半导体发展,且上海表示将会在2035年前建立起世界级的“东方芯港”,届时中国芯或许就像张召忠说的那样,遍地都是!

  从无到有,从少到多,我们一直如此,相信在众多科研工作者的努力之下,中国芯也会迎来属于自己的光辉!期待这一天早点到来!手机报码直播